Que é GaN e por que o necesitas?

Que é GaN e por que o necesitas?

O nitruro de galio, ou GaN, é un material que se está empezando a utilizar para semicondutores nos cargadores.Utilizouse para facer LED a partir dos anos 90, e tamén é un material popular para matrices de células solares en satélites.O principal do GaN cando se trata de cargadores é que produce menos calor.Menos calor significa que os compoñentes poden estar máis xuntos, polo que un cargador pode ser máis pequeno que nunca, mantendo todas as capacidades de enerxía e os estándares de seguridade.

Que fai realmente un cargador?

Alegrámonos de que o preguntases.

Antes de mirar o GaN no interior dun cargador, vexamos o que fai un cargador.Cada un dos nosos teléfonos intelixentes, tabletas e portátiles ten unha batería.Cando unha batería está a transferir enerxía aos nosos dispositivos, o que está a suceder é en realidade unha reacción química.Un cargador toma unha corrente eléctrica para inverter esa reacción química.Nos primeiros días, os cargadores só enviaban zume a unha batería constantemente, o que podía provocar unha sobrecarga e danos.Os cargadores modernos inclúen sistemas de monitorización que reducen a corrente a medida que se enche unha batería, o que minimiza a posibilidade de sobrecarga.

A calor está acesa:
GaN substitúe o silicio

Desde os anos 80, o silicio foi o material de referencia para os transistores.O silicio conduce a electricidade mellor que os materiais utilizados anteriormente, como os tubos de baleiro, e mantén os custos baixos, xa que non é demasiado caro de producir.Ao longo das décadas, as melloras na tecnoloxía levaron ao alto rendemento ao que estamos afeitos na actualidade.O avance só pode chegar tan lonxe, e os transistores de silicio poden estar preto do tan bo que van ser.As propiedades do propio material de silicio en canto á transferencia de calor e electricidade fan que os compoñentes non poidan facerse máis pequenos.

GaN é diferente.É un material semellante ao cristal que é capaz de conducir voltaxes moito máis altas.A corrente eléctrica pode atravesar compoñentes feitos de GaN máis rápido que o silicio, o que leva a un procesamento aínda máis rápido.GaN é máis eficiente, polo que hai menos calor.